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制造商：Infineon Technologies
封装外壳：TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA
描述：MOSFET N-CH 40V 59A TO263-5
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRLBD59N04ETRLP，现有足量库存。IRLBD59N04ETRLP的封装/规格参数为:TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA；同时斯普仑现货为您提供IRLBD59N04ETRLP数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRLBD59N04ETRLP的详细使用方法及教程。
斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRLBD59N04ETRLP，现有足量库存。IRLBD59N04ETRLP的封装/规格参数为:TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA；同时斯普仑现货为您提供IRLBD59N04ETRLP数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRLBD59N04ETRLP的详细使用方法及教程。
| IRLBD59N04ETRLP产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！ | |
| 制造商零件编号 | IRLBD59N04ETRLP |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 59A TO263-5 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 库存 | 8827 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 卷带（TR） |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 59A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18 毫欧 @ 35A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 50 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2190 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 130W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-263-5 |
| 封装/外壳 | TO-263-6，D²Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA |
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