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FDFMA2P853

制造商：onsemi

封装外壳：6-VDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET

9009 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDFMA2P853，现有足量库存。FDFMA2P853的封装/规格参数为:6-VDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供FDFMA2P853数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDFMA2P853的详细使用方法及教程。

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FDFMA2P853产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDFMA2P853
描述 MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
制造商 onsemi
库存 9009
系列 PowerTrench®
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 120 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 435 pF @ 10 V
FET 功能 肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值） 1.4W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 6-MicroFET（2x2）
封装/外壳 6-VDFN 裸露焊盘

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