IRFU1018EPBF规格参数_irfu1018epbf现货热销【斯普仑】

IRFU1018EPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

描述：MOSFET N-CH 60V 56A IPAK

8412 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFU1018EPBF，现有足量库存。IRFU1018EPBF的封装/规格参数为:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；同时斯普仑现货为您提供IRFU1018EPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFU1018EPBF的详细使用方法及教程。

IRFU1018EPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFU1018EPBF
描述	MOSFET N-CH 60V 56A IPAK
制造商	Infineon Technologies
库存	8412
系列	HEXFET®
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	56A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	8.4 毫欧 @ 47A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	69 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2290 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	110W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	IPAK（TO-251AA）
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

IRFU1018EPBF

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