STB300NH02L规格参数_stb300nh02l现货热销【斯普仑】

STB300NH02L

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK

2065 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STB300NH02L，现有足量库存。STB300NH02L的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供STB300NH02L数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STB300NH02L的详细使用方法及教程。

STB300NH02L产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STB300NH02L
描述	MOSFET N-CH 24V 120A D2PAK
制造商	STMicroelectronics
库存	2065
系列	STripFET™
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	24 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1.8 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	109.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7055 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	300W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	D2PAK
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

STB300NH02L

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