STD10NM65N规格参数_std10nm65n现货热销【斯普仑】

STD10NM65N

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET N-CH 650V 9A DPAK

9019 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STD10NM65N，现有足量库存。STD10NM65N的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供STD10NM65N数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STD10NM65N的详细使用方法及教程。

STD10NM65N产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STD10NM65N
描述	MOSFET N-CH 650V 9A DPAK
制造商	STMicroelectronics
库存	9019
系列	MDmesh™ II
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	480 毫欧 @ 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	25 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	850 pF @ 50 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	90W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	DPAK
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

STD10NM65N

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