STV250N55F3规格参数_stv250n55f3现货热销【斯普仑】

STV250N55F3

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：PowerSO-10 裸露底部焊盘

描述：MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO

2676 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STV250N55F3，现有足量库存。STV250N55F3的封装/规格参数为:PowerSO-10 裸露底部焊盘；同时斯普仑现货为您提供STV250N55F3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STV250N55F3的详细使用方法及教程。

STV250N55F3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STV250N55F3
描述	MOSFET N-CH 55V 200A 10POWERSO
制造商	STMicroelectronics
库存	2676
系列	STripFET™ III
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	200A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2.2 毫欧 @ 75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	100 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	6800 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	300W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	10-PowerSO
封装/外壳	PowerSO-10 裸露底部焊盘

STV250N55F3

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