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NTD4815NH-35G

制造商：onsemi

封装外壳：TO-251-3 短截引线，IPak

描述：MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK

2923 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTD4815NH-35G，现有足量库存。NTD4815NH-35G的封装/规格参数为:TO-251-3 短截引线，IPak；同时斯普仑现货为您提供NTD4815NH-35G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTD4815NH-35G的详细使用方法及教程。

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NTD4815NH-35G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NTD4815NH-35G
描述 MOSFET N-CH 30V 6.9A/35A IPAK
制造商 onsemi
库存 2923
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.9A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，11.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 15 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 6.8 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 845 pF @ 12 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.26W（Ta），32.6W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 I-Pak
封装/外壳 TO-251-3 短截引线，IPak

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