SI5857DU-T1-E3规格参数_si5857du-t1-e3现货热销【斯普仑】

SI5857DU-T1-E3

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：PowerPAK® CHIPFET™ 单

描述：MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

5586 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的SI5857DU-T1-E3，现有足量库存。SI5857DU-T1-E3的封装/规格参数为:PowerPAK® CHIPFET™ 单；同时斯普仑现货为您提供SI5857DU-T1-E3数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SI5857DU-T1-E3的详细使用方法及教程。

SI5857DU-T1-E3产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SI5857DU-T1-E3
描述	MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
制造商	Vishay Siliconix
库存	5586
系列	LITTLE FOOT®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	58 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	480 pF @ 10 V
FET 功能	肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）	2.3W（Ta），10.4W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PowerPAK® CHIPFET™ 单
封装/外壳	PowerPAK® CHIPFET™ 单

SI5857DU-T1-E3

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