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IXTA70N085T

制造商:IXYS

封装外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

描述:MOSFET N-CH 85V 70A TO263

3314 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXTA70N085T,现有足量库存。IXTA70N085T的封装/规格参数为:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;同时斯普仑现货为您提供IXTA70N085T数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有IXTA70N085T的详细使用方法及教程。

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IXTA70N085T产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 IXTA70N085T
描述 MOSFET N-CH 85V 70A TO263
制造商 IXYS
库存 3314
系列 TrenchMV™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 85 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 70A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 13.5 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 59 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 2570 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 176W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263AA
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

为智能时代加速到来而付出“真芯”