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IXFV110N10P

制造商：IXYS

封装外壳：TO-220-3（SMT）标片

描述：MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220

7189 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXFV110N10P，现有足量库存。IXFV110N10P的封装/规格参数为:TO-220-3（SMT）标片；同时斯普仑现货为您提供IXFV110N10P数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXFV110N10P的详细使用方法及教程。

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IXFV110N10P产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXFV110N10P
描述 MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220
制造商 IXYS
库存 7189
系列 PolarHT™ HiPerFET™
包装 盒
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 15 毫欧 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 110 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3550 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 480W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PLUS220
封装/外壳 TO-220-3（SMT）标片

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