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IXFH66N20Q

制造商：IXYS

封装外壳：TO-247-3

描述：MOSFET N-CH 200V 66A TO247AD

7765 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXFH66N20Q，现有足量库存。IXFH66N20Q的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供IXFH66N20Q数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXFH66N20Q的详细使用方法及教程。

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IXFH66N20Q产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXFH66N20Q
描述 MOSFET N-CH 200V 66A TO247AD
制造商 IXYS
库存 7765
系列 HiPerFET™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 66A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 40 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 105 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3700 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 400W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AD（IXFH）
封装/外壳 TO-247-3

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