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IXFC20N80P

制造商：IXYS

封装外壳：ISOPLUS220™

描述：MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220

5662 现货

斯普仑电子元件现货为您提供IXYS设计生产的IXFC20N80P，现有足量库存。IXFC20N80P的封装/规格参数为:ISOPLUS220™；同时斯普仑现货为您提供IXFC20N80P数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IXFC20N80P的详细使用方法及教程。

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IXFC20N80P产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IXFC20N80P
描述 MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220
制造商 IXYS
库存 5662
系列 HiPerFET™, PolarHT™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 500 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 85 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4680 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 166W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 ISOPLUS220™
封装/外壳 ISOPLUS220™

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