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FDR858P

制造商：onsemi

封装外壳：8-LSOP（0.130"，3.30mm 宽）

描述：MOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8

2605 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDR858P，现有足量库存。FDR858P的封装/规格参数为:8-LSOP（0.130"，3.30mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供FDR858P数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDR858P的详细使用方法及教程。

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FDR858P产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDR858P
描述 MOSFET P-CH 30V 8A SUPERSOT8
制造商 onsemi
库存 2605
系列 -
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 19 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 30 nC @ 5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2010 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SuperSOT™-8
封装/外壳 8-LSOP（0.130"，3.30mm 宽）

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