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FDZ291P

制造商：onsemi

封装外壳：9-VFBGA

描述：MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA

3139 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDZ291P，现有足量库存。FDZ291P的封装/规格参数为:9-VFBGA；同时斯普仑现货为您提供FDZ291P数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDZ291P的详细使用方法及教程。

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FDZ291P产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDZ291P
描述 MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA
制造商 onsemi
库存 3139
系列 PowerTrench®
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 40 毫欧 @ 4.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 13 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1010 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.7W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 9-BGA（1.5x1.6）
封装/外壳 9-VFBGA

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