APT1003RKLLG规格参数_apt1003rkllg现货热销【斯普仑】

APT1003RKLLG

制造商：Microchip Technology

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 1000V 4A TO220

6169 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Microchip Technology设计生产的APT1003RKLLG，现有足量库存。APT1003RKLLG的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供APT1003RKLLG数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有APT1003RKLLG的详细使用方法及教程。

APT1003RKLLG产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	APT1003RKLLG
描述	MOSFET N-CH 1000V 4A TO220
制造商	Microchip Technology
库存	6169
系列	POWER MOS 7®
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3 欧姆 @ 2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	694 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	139W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220 [K]
封装/外壳	TO-220-3

APT1003RKLLG

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