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NTMSD2P102R2

制造商:onsemi

封装外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC

6110 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTMSD2P102R2,现有足量库存。NTMSD2P102R2的封装/规格参数为:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);同时斯普仑现货为您提供NTMSD2P102R2数据手册/使用说明书等中文资料,资料中有NTMSD2P102R2的详细使用方法及教程。

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NTMSD2P102R2产品参数仅供参考,以厂家数据手册为准!
制造商零件编号 NTMSD2P102R2
描述 MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
制造商 onsemi
库存 6110
系列 -
包装 卷带(TR)
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 90 毫欧 @ 2.4A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) -
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 18 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值) -
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 750 pF @ 16 V
FET 功能 肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值) -
工作温度 -
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 8-SOIC
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

为智能时代加速到来而付出“真芯”