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NTD6600N-001

制造商：onsemi

封装外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

描述：MOSFET N-CH 100V 12A IPAK

8611 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NTD6600N-001，现有足量库存。NTD6600N-001的封装/规格参数为:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；同时斯普仑现货为您提供NTD6600N-001数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NTD6600N-001的详细使用方法及教程。

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NTD6600N-001产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NTD6600N-001
描述 MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
制造商 onsemi
库存 8611
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 146 毫欧 @ 6A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 20 nC @ 5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 700 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.28W（Ta），56.6W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 I-PAK
封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

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