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2N7000G

制造商：onsemi

封装外壳：TO-226-3，TO-92-3 长体

描述：MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3

5600 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的2N7000G，现有足量库存。2N7000G的封装/规格参数为:TO-226-3，TO-92-3 长体；同时斯普仑现货为您提供2N7000G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有2N7000G的详细使用方法及教程。

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2N7000G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 2N7000G
描述 MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
制造商 onsemi
库存 5600
系列 -
包装 散装
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） -
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 60 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 350mW（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-92（TO-226）
封装/外壳 TO-226-3，TO-92-3 长体

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