BSP613PL6327HUSA1规格参数_bsp613pl6327husa1现货热销【斯普仑】

BSP613PL6327HUSA1

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-261-4，TO-261AA

描述：MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4

8749 现货

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BSP613PL6327HUSA1产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BSP613PL6327HUSA1
描述	MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT223-4
制造商	Infineon Technologies
库存	8749
系列	SIPMOS®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	130 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	33 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	875 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	1.8W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-SOT223-4
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA

BSP613PL6327HUSA1

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