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FQAF11N90

制造商：onsemi

封装外壳：TO-3P-3 整包

描述：MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF

8183 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FQAF11N90，现有足量库存。FQAF11N90的封装/规格参数为:TO-3P-3 整包；同时斯普仑现货为您提供FQAF11N90数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FQAF11N90的详细使用方法及教程。

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FQAF11N90产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FQAF11N90
描述 MOSFET N-CH 900V 7.2A TO3PF
制造商 onsemi
库存 8183
系列 QFET®
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 960 毫欧 @ 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 94 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3500 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 120W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-3PF
封装/外壳 TO-3P-3 整包

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