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FQI8N60CTU

制造商：onsemi

封装外壳：TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

描述：MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK

3600 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FQI8N60CTU，现有足量库存。FQI8N60CTU的封装/规格参数为:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA；同时斯普仑现货为您提供FQI8N60CTU数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FQI8N60CTU的详细使用方法及教程。

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FQI8N60CTU产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FQI8N60CTU
描述 MOSFET N-CH 600V 7.5A I2PAK
制造商 onsemi
库存 3600
系列 QFET®
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 7.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.2 欧姆 @ 3.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 36 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1255 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.13W（Ta），147W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 I2PAK（TO-262）
封装/外壳 TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA

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