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NDH832P

制造商：onsemi

封装外壳：8-LSOP（0.130"，3.30mm 宽）

描述：MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8

4160 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的NDH832P，现有足量库存。NDH832P的封装/规格参数为:8-LSOP（0.130"，3.30mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供NDH832P数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有NDH832P的详细使用方法及教程。

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NDH832P产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 NDH832P
描述 MOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8
制造商 onsemi
库存 4160
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.7V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 60 毫欧 @ 4.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 30 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） -8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1000 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SuperSOT™-8
封装/外壳 8-LSOP（0.130"，3.30mm 宽）

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