FQP10N20CTSTU规格参数_fqp10n20ctstu现货热销【斯普仑】

制造商：onsemi

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3

8112 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FQP10N20CTSTU，现有足量库存。FQP10N20CTSTU的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供FQP10N20CTSTU数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FQP10N20CTSTU的详细使用方法及教程。

FQP10N20CTSTU产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	FQP10N20CTSTU
描述	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
制造商	onsemi
库存	8112
系列	QFET®
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	9.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	360 毫欧 @ 4.75A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	26 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	510 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	72W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220-3
封装/外壳	TO-220-3