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FQT4N20TF

制造商：onsemi

封装外壳：TO-261-4，TO-261AA

描述：MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4

3595 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FQT4N20TF，现有足量库存。FQT4N20TF的封装/规格参数为:TO-261-4，TO-261AA；同时斯普仑现货为您提供FQT4N20TF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FQT4N20TF的详细使用方法及教程。

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FQT4N20TF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FQT4N20TF
描述 MOSFET N-CH 200V 850MA SOT223-4
制造商 onsemi
库存 3595
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 850mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 1.4 欧姆 @ 425mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 6.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 220 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.2W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-223-4
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA

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