ZXMNS3BM832TA规格参数_zxmns3bm832ta现货热销【斯普仑】

ZXMNS3BM832TA

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：8-VDFN 裸露焊盘

描述：MOSFET N-CH 30V 2A 8MLP

6505 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的ZXMNS3BM832TA，现有足量库存。ZXMNS3BM832TA的封装/规格参数为:8-VDFN 裸露焊盘；同时斯普仑现货为您提供ZXMNS3BM832TA数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有ZXMNS3BM832TA的详细使用方法及教程。

ZXMNS3BM832TA产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	ZXMNS3BM832TA
描述	MOSFET N-CH 30V 2A 8MLP
制造商	Diodes Incorporated
库存	6505
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	180 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	700mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	2.9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	314 pF @ 15 V
FET 功能	肖特基二极管（隔离式）
功率耗散（最大值）	1W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-MLP（3x2）
封装/外壳	8-VDFN 裸露焊盘

ZXMNS3BM832TA

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