ZVNL120CSTZ规格参数_zvnl120cstz现货热销【斯普仑】

ZVNL120CSTZ

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：E-Line-3

描述：MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE

9737 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的ZVNL120CSTZ，现有足量库存。ZVNL120CSTZ的封装/规格参数为:E-Line-3；同时斯普仑现货为您提供ZVNL120CSTZ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有ZVNL120CSTZ的详细使用方法及教程。

ZVNL120CSTZ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	ZVNL120CSTZ
描述	MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
制造商	Diodes Incorporated
库存	9737
系列	-
包装	带盒（TB）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	180mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	3V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	10 欧姆 @ 250mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	85 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	700mW（Ta）
工作温度	-
安装类型	通孔
供应商器件封装	E-Line（TO-92 兼容）
封装/外壳	E-Line-3

ZVNL120CSTZ

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