ZVN4206GVTC规格参数_zvn4206gvtc现货热销【斯普仑】

ZVN4206GVTC

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：TO-261-4，TO-261AA

描述：MOSFET N-CH 60V 1A SOT223

6445 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的ZVN4206GVTC，现有足量库存。ZVN4206GVTC的封装/规格参数为:TO-261-4，TO-261AA；同时斯普仑现货为您提供ZVN4206GVTC数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有ZVN4206GVTC的详细使用方法及教程。

ZVN4206GVTC产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	ZVN4206GVTC
描述	MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
制造商	Diodes Incorporated
库存	6445
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	1 欧姆 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	100 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-223-3
封装/外壳	TO-261-4，TO-261AA

ZVN4206GVTC

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