ZVN2120ASTZ规格参数_zvn2120astz现货热销【斯普仑】

ZVN2120ASTZ

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：E-Line-3

描述：MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE

2959 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的ZVN2120ASTZ，现有足量库存。ZVN2120ASTZ的封装/规格参数为:E-Line-3；同时斯普仑现货为您提供ZVN2120ASTZ数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有ZVN2120ASTZ的详细使用方法及教程。

ZVN2120ASTZ产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	ZVN2120ASTZ
描述	MOSFET N-CH 200V 180MA E-LINE
制造商	Diodes Incorporated
库存	2959
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	180mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	10 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	85 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	700mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	E-Line（TO-92 兼容）
封装/外壳	E-Line-3

ZVN2120ASTZ

猜您喜欢

G15

E3M0065090D

C2M0080170P

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S080B

CPM2-1200-0160B

CPM2-1200-0080B

BUK7Y25-80E/GFX

BUK7Y25-80E/CX

PSMN7R6-60XSQ

BUK761R5-40EJ

PSMN8R5-108ESQ

PSMN3R9-60XSQ

BUK9C1R3-40EJ

BUK951R8-40EQ

PMT760EN,115

PMT200EN,115

BUK9C5R3-100EJ

BUK9C3R8-80EJ

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”

热门类目

关于斯普仑

帮助中心