VN10LPSTOA规格参数_vn10lpstoa现货热销【斯普仑】

VN10LPSTOA

制造商：Diodes Incorporated

封装外壳：E-Line-3，成型引线

描述：MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE

1253 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Diodes Incorporated设计生产的VN10LPSTOA，现有足量库存。VN10LPSTOA的封装/规格参数为:E-Line-3，成型引线；同时斯普仑现货为您提供VN10LPSTOA数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有VN10LPSTOA的详细使用方法及教程。

VN10LPSTOA产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	VN10LPSTOA
描述	MOSFET N-CH 60V 270MA E-LINE
制造商	Diodes Incorporated
库存	1253
系列	-
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	270mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	-
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	60 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	625mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	E-Line（TO-92 兼容）
封装/外壳	E-Line-3，成型引线

VN10LPSTOA

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