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FDR6580

制造商：onsemi

封装外壳：8-LSOP（0.130"，3.30mm 宽）

描述：MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8

6006 现货

斯普仑电子元件现货为您提供onsemi设计生产的FDR6580，现有足量库存。FDR6580的封装/规格参数为:8-LSOP（0.130"，3.30mm 宽）；同时斯普仑现货为您提供FDR6580数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有FDR6580的详细使用方法及教程。

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FDR6580产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 FDR6580
描述 MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8
制造商 onsemi
库存 6006
系列 PowerTrench®
包装 卷带（TR）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 9 毫欧 @ 11.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 48 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 3829 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.8W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SuperSOT™-8
封装/外壳 8-LSOP（0.130"，3.30mm 宽）

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