IRFB59N10DPBF规格参数_irfb59n10dpbf现货热销【斯普仑】

IRFB59N10DPBF

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB

4130 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFB59N10DPBF，现有足量库存。IRFB59N10DPBF的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供IRFB59N10DPBF数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFB59N10DPBF的详细使用方法及教程。

IRFB59N10DPBF产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFB59N10DPBF
描述	MOSFET N-CH 100V 59A TO220AB
制造商	Infineon Technologies
库存	4130
系列	HEXFET®
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	59A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	25 毫欧 @ 35.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	114 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	2450 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.8W（Ta），200W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	TO-220AB
封装/外壳	TO-220-3

IRFB59N10DPBF

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