欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

IRF6636

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：DirectFET™ 等容 ST

描述：MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET

2130 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF6636，现有足量库存。IRF6636的封装/规格参数为:DirectFET™ 等容 ST；同时斯普仑现货为您提供IRF6636数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF6636的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF6636，现有足量库存。IRF6636的封装/规格参数为:DirectFET™ 等容 ST；同时斯普仑现货为您提供IRF6636数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF6636的详细使用方法及教程。

IRF6636产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IRF6636
描述 MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
制造商 Infineon Technologies
库存 2130
系列 HEXFET®
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 18A（Ta），81A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.5 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.45V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 27 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2420 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.2W（Ta），42W（Tc）
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DIRECTFET™ ST
封装/外壳 DirectFET™ 等容 ST

猜您喜欢

Infineon Technologies

G15

Infineon Technologies

E3M0065090D

Infineon Technologies

C2M0080170P

Infineon Technologies

CPMF-1200-S160B

Infineon Technologies

CPMF-1200-S080B

Infineon Technologies

CPM2-1200-0160B

Infineon Technologies

CPM2-1200-0080B

Infineon Technologies

BUK7Y25-80E/GFX

Infineon Technologies

BUK7Y25-80E/CX

Infineon Technologies

PSMN7R6-60XSQ

Infineon Technologies

BUK761R5-40EJ

Infineon Technologies

PSMN8R5-108ESQ

Infineon Technologies

PSMN3R9-60XSQ

Infineon Technologies

BUK9C1R3-40EJ

Infineon Technologies

BUK951R8-40EQ

Infineon Technologies

PMT760EN,115

Infineon Technologies

PMT200EN,115

Infineon Technologies

BUK9C5R3-100EJ

Infineon Technologies

BUK9C3R8-80EJ

Infineon Technologies

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”