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RDN100N20

制造商：Rohm Semiconductor

封装外壳：TO-220-3 整包

描述：MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN

2914 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Rohm Semiconductor设计生产的RDN100N20，现有足量库存。RDN100N20的封装/规格参数为:TO-220-3 整包；同时斯普仑现货为您提供RDN100N20数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有RDN100N20的详细使用方法及教程。

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RDN100N20产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 RDN100N20
描述 MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
制造商 Rohm Semiconductor
库存 2914
系列 -
包装 散装
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 360 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 30 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 543 pF @ 10 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 35W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220FN
封装/外壳 TO-220-3 整包

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