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STE180NE10

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：ISOTOP

描述：MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP

7019 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STE180NE10，现有足量库存。STE180NE10的封装/规格参数为:ISOTOP；同时斯普仑现货为您提供STE180NE10数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STE180NE10的详细使用方法及教程。

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STE180NE10产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 STE180NE10
描述 MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
制造商 STMicroelectronics
库存 7019
系列 STripFET™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 6 欧姆 @ 40A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 795 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 21000 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 360W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 底座安装
供应商器件封装 ISOTOP®
封装/外壳 ISOTOP

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