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STW11NB80

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：TO-247-3

描述：MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3

5283 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STW11NB80，现有足量库存。STW11NB80的封装/规格参数为:TO-247-3；同时斯普仑现货为您提供STW11NB80数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STW11NB80的详细使用方法及教程。

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STW11NB80产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 STW11NB80
描述 MOSFET N-CH 800V 11A TO247-3
制造商 STMicroelectronics
库存 5283
系列 PowerMESH™
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 800 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 70 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 2900 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 190W（Tc）
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247-3
封装/外壳 TO-247-3

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