STE110NS20FD规格参数_ste110ns20fd现货热销【斯普仑】

STE110NS20FD

制造商：STMicroelectronics

封装外壳：ISOTOP

描述：MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP

9280 现货

斯普仑电子元件现货为您提供STMicroelectronics设计生产的STE110NS20FD，现有足量库存。STE110NS20FD的封装/规格参数为:ISOTOP；同时斯普仑现货为您提供STE110NS20FD数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有STE110NS20FD的详细使用方法及教程。

STE110NS20FD产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	STE110NS20FD
描述	MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
制造商	STMicroelectronics
库存	9280
系列	MESH OVERLAY™
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	24 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	504 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	7900 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	500W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	底座安装
供应商器件封装	ISOTOP®
封装/外壳	ISOTOP

STE110NS20FD

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