BSS83PE6327规格参数_bss83pe6327现货热销【斯普仑】

BSS83PE6327

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

描述：MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3

1328 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的BSS83PE6327，现有足量库存。BSS83PE6327的封装/规格参数为:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；同时斯普仑现货为您提供BSS83PE6327数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有BSS83PE6327的详细使用方法及教程。

BSS83PE6327产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	BSS83PE6327
描述	MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
制造商	Infineon Technologies
库存	1328
系列	SIPMOS®
包装	卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	330mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	2 欧姆 @ 330mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	3.57 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	78 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	360mW（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-SOT23
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

BSS83PE6327

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