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IRF6603

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：DirectFET™ 等容 MT

描述：MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET

4420 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF6603，现有足量库存。IRF6603的封装/规格参数为:DirectFET™ 等容 MT；同时斯普仑现货为您提供IRF6603数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF6603的详细使用方法及教程。

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IRF6603产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IRF6603
描述 MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
制造商 Infineon Technologies
库存 4420
系列 HEXFET®
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 27A（Ta），92A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3.4 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 72 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） +20V，-12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 6590 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.6W（Ta），42W（Tc）
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DIRECTFET™ MT
封装/外壳 DirectFET™ 等容 MT

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