SI3443DV规格参数_si3443dv现货热销【斯普仑】

SI3443DV

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

描述：MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6

3700 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的SI3443DV，现有足量库存。SI3443DV的封装/规格参数为:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供SI3443DV数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有SI3443DV的详细使用方法及教程。

SI3443DV产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	SI3443DV
描述	MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6
制造商	Infineon Technologies
库存	3700
系列	HEXFET®
包装	散装
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	65 毫欧 @ 4.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	15 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1079 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2W（Ta）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	Micro6™（TSOP-6）
封装/外壳	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

SI3443DV

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