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IRF5806

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

描述：MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6

4521 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF5806，现有足量库存。IRF5806的封装/规格参数为:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供IRF5806数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF5806的详细使用方法及教程。

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IRF5806产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IRF5806
描述 MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
制造商 Infineon Technologies
库存 4521
系列 HEXFET®
包装 管件
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 86 毫欧 @ 4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 11.4 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 594 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 Micro6™（TSOP-6）
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

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