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IRF6100

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：4-FlipFet™

描述：MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET

6032 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRF6100，现有足量库存。IRF6100的封装/规格参数为:4-FlipFet™；同时斯普仑现货为您提供IRF6100数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRF6100的详细使用方法及教程。

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IRF6100产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IRF6100
描述 MOSFET P-CH 20V 5.1A 4FLIPFET
制造商 Infineon Technologies
库存 6032
系列 HEXFET®
包装 卷带（TR） , 剪切带（CT）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 65 毫欧 @ 5.1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 21 nC @ 5 V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1230 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.2W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 4-FlipFet™
封装/外壳 4-FlipFet™

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