IRLMS2002TR规格参数_irlms2002tr现货热销【斯普仑】

IRLMS2002TR

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：SOT-23-6

描述：MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

5619 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRLMS2002TR，现有足量库存。IRLMS2002TR的封装/规格参数为:SOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供IRLMS2002TR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRLMS2002TR的详细使用方法及教程。

IRLMS2002TR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRLMS2002TR
描述	MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
制造商	Infineon Technologies
库存	5619
系列	-
包装	剪切带（CT）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	30 毫欧 @ 6.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	22 nC @ 5 V
Vgs（最大值）	-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1310 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	-
工作温度	-
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	Micro6™（SOT23-6）
封装/外壳	SOT-23-6

IRLMS2002TR

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