IRFR9120NTRR规格参数_irfr9120ntrr现货热销【斯普仑】

IRFR9120NTRR

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

描述：MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

1253 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFR9120NTRR，现有足量库存。IRFR9120NTRR的封装/规格参数为:TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；同时斯普仑现货为您提供IRFR9120NTRR数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFR9120NTRR的详细使用方法及教程。

IRFR9120NTRR产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFR9120NTRR
描述	MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
制造商	Infineon Technologies
库存	1253
系列	HEXFET®
包装	卷带（TR）
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	6.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	480 毫欧 @ 3.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	350 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	40W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	D-Pak
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

IRFR9120NTRR

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