IRFBE30STRL规格参数_irfbe30strl现货热销【斯普仑】

IRFBE30STRL

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

描述：MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK

5640 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的IRFBE30STRL，现有足量库存。IRFBE30STRL的封装/规格参数为:TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；同时斯普仑现货为您提供IRFBE30STRL数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFBE30STRL的详细使用方法及教程。

IRFBE30STRL产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFBE30STRL
描述	MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
制造商	Vishay Siliconix
库存	5640
系列	-
包装	卷带（TR）
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	4.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	3 欧姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	78 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1300 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	125W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	D²PAK（TO-263）
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

IRFBE30STRL

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