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IRLBL1304

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：超级 D2-封装

描述：MOSFET N-CH 40V 185A SUPER D2PAK

5350 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRLBL1304，现有足量库存。IRLBL1304的封装/规格参数为:超级 D2-封装；同时斯普仑现货为您提供IRLBL1304数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRLBL1304的详细使用方法及教程。

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IRLBL1304产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IRLBL1304
描述 MOSFET N-CH 40V 185A SUPER D2PAK
制造商 Infineon Technologies
库存 5350
系列 HEXFET®
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 185A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 4.5 毫欧 @ 110A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 140 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 7660 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
工作温度 -
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 超级 D2-封装
封装/外壳 超级 D2-封装

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