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IRFBL3703

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：超级 D2-封装

描述：MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK

4190 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFBL3703，现有足量库存。IRFBL3703的封装/规格参数为:超级 D2-封装；同时斯普仑现货为您提供IRFBL3703数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFBL3703的详细使用方法及教程。

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IRFBL3703产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IRFBL3703
描述 MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK
制造商 Infineon Technologies
库存 4190
系列 HEXFET®
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 260A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2.5 毫欧 @ 76A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 209 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 8250 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），300W（Tc）
工作温度 -
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 超级 D2-封装
封装/外壳 超级 D2-封装

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