欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

IRLMS2002

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：SOT-23-6

描述：MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6

4600 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRLMS2002，现有足量库存。IRLMS2002的封装/规格参数为:SOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供IRLMS2002数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRLMS2002的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRLMS2002，现有足量库存。IRLMS2002的封装/规格参数为:SOT-23-6；同时斯普仑现货为您提供IRLMS2002数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRLMS2002的详细使用方法及教程。

IRLMS2002产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IRLMS2002
描述 MOSFET N-CH 20V 6.5A MICRO6
制造商 Infineon Technologies
库存 4600
系列 HEXFET®
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 30 毫欧 @ 6.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 22 nC @ 5 V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1310 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2W（Ta）
工作温度 -
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 Micro6™（SOT23-6）
封装/外壳 SOT-23-6

猜您喜欢

Infineon Technologies

G15

Infineon Technologies

E3M0065090D

Infineon Technologies

C2M0080170P

Infineon Technologies

CPMF-1200-S160B

Infineon Technologies

CPMF-1200-S080B

Infineon Technologies

CPM2-1200-0160B

Infineon Technologies

CPM2-1200-0080B

Infineon Technologies

BUK7Y25-80E/GFX

Infineon Technologies

BUK7Y25-80E/CX

Infineon Technologies

PSMN7R6-60XSQ

Infineon Technologies

BUK761R5-40EJ

Infineon Technologies

PSMN8R5-108ESQ

Infineon Technologies

PSMN3R9-60XSQ

Infineon Technologies

BUK9C1R3-40EJ

Infineon Technologies

BUK951R8-40EQ

Infineon Technologies

PMT760EN,115

Infineon Technologies

PMT200EN,115

Infineon Technologies

BUK9C5R3-100EJ

Infineon Technologies

BUK9C3R8-80EJ

Infineon Technologies

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”