IRFU9N20D规格参数_irfu9n20d现货热销【斯普仑】

IRFU9N20D

制造商：Infineon Technologies

封装外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

描述：MOSFET N-CH 200V 9.4A IPAK

6356 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Infineon Technologies设计生产的IRFU9N20D，现有足量库存。IRFU9N20D的封装/规格参数为:TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA；同时斯普仑现货为您提供IRFU9N20D数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFU9N20D的详细使用方法及教程。

IRFU9N20D产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号	IRFU9N20D
描述	MOSFET N-CH 200V 9.4A IPAK
制造商	Infineon Technologies
库存	6356
系列	HEXFET®
包装	管件
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	9.4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	380 毫欧 @ 5.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	560 pF @ 25 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	86W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	通孔
供应商器件封装	IPAK（TO-251AA）
封装/外壳	TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

IRFU9N20D

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