欢迎访问斯普仑网站

24小时电话: 400-900-8690

   400-900-8690

IRFIBE30G

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：TO-220-3 全封装，隔离接片

描述：MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3

2459 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的IRFIBE30G，现有足量库存。IRFIBE30G的封装/规格参数为:TO-220-3 全封装，隔离接片；同时斯普仑现货为您提供IRFIBE30G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFIBE30G的详细使用方法及教程。

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的IRFIBE30G，现有足量库存。IRFIBE30G的封装/规格参数为:TO-220-3 全封装，隔离接片；同时斯普仑现货为您提供IRFIBE30G数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFIBE30G的详细使用方法及教程。

IRFIBE30G产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IRFIBE30G
描述 MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
制造商 Vishay Siliconix
库存 2459
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 2.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 3 欧姆 @ 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 78 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1300 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 35W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3 全封装，隔离接片

猜您喜欢

Vishay Siliconix

G15

Vishay Siliconix

E3M0065090D

Vishay Siliconix

C2M0080170P

Vishay Siliconix

CPMF-1200-S160B

Vishay Siliconix

CPMF-1200-S080B

Vishay Siliconix

CPM2-1200-0160B

Vishay Siliconix

CPM2-1200-0080B

Vishay Siliconix

BUK7Y25-80E/GFX

Vishay Siliconix

BUK7Y25-80E/CX

Vishay Siliconix

PSMN7R6-60XSQ

Vishay Siliconix

BUK761R5-40EJ

Vishay Siliconix

PSMN8R5-108ESQ

Vishay Siliconix

PSMN3R9-60XSQ

Vishay Siliconix

BUK9C1R3-40EJ

Vishay Siliconix

BUK951R8-40EQ

Vishay Siliconix

PMT760EN,115

Vishay Siliconix

PMT200EN,115

Vishay Siliconix

BUK9C5R3-100EJ

Vishay Siliconix

BUK9C3R8-80EJ

Vishay Siliconix

BUK9C2R2-60EJ

为智能时代加速到来而付出“真芯”