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IRFB9N65A

制造商：Vishay Siliconix

封装外壳：TO-220-3

描述：MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB

4515 现货

斯普仑电子元件现货为您提供Vishay Siliconix设计生产的IRFB9N65A，现有足量库存。IRFB9N65A的封装/规格参数为:TO-220-3；同时斯普仑现货为您提供IRFB9N65A数据手册/使用说明书等中文资料，资料中有IRFB9N65A的详细使用方法及教程。

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IRFB9N65A产品参数仅供参考，以厂家数据手册为准！
制造商零件编号 IRFB9N65A
描述 MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
制造商 Vishay Siliconix
库存 4515
系列 -
包装 管件
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 8.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 930 毫欧 @ 5.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 48 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 1417 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 167W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3

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